PlasmaLab Cryo ICP 380 PECVD

Systém hlubokého reaktivního iontového leptání Oxford Instruments PlasmaLab Cryo ICP 380 PECVD

Popis:
Zařízení hlubokého reaktivního leptání slouží k anizotropnímu iontovému leptání mikrostruktur do křemenných případně dilektrických materiálů s vysokou kolmostí leptaných stěn (difraktivní prvky, MEMS systémy, mikrofluidní systémy).

Zařízení je vybaveno leptacím procesem Bosch a kryogenním. Systém obsahuje ICP 13,56 MHz plazmový zdroj o výkonu 3 KW, radiofrekvenční elektrodu substrátu o výkonu 600 W, nastavení teploty substrátu -150 až 400 °C. Vzorek je do leptací komory zaváděn automatickou vakuovou propustí. Pro leptání používáme plyny SF6, C4F8, CF4, CHF3, O2, Ar. Dále je systém vybaven příslušenstvím pro depozici tenkých vrstev technologií PECVD, která umožňuje nanášet vrstvy oxidu křemíku, vrstvy karbidové a nitridové. K depozici používáme plyny SiH4, CH4, N2O.

Kontakt: