Měření hustoty dopantu v polovodiči

Pomalými elektrony lze měřit jak hustotu dopantu v dopovaných obrazcích polovodičových struktur, tak zajistit vysoký kontrast těchto obrazců pro měření jejich kritických rozměrů. Mikrosnímky sejmuté při energii elektronů ve stovkách eV vykazují kontrast úměrný hustotě dopantu, jehož absolutní stupnici lze kalibrovat na zkušebním obrazci. Obrazce dopované na vodivost p-typu jsou ve snímcích vždy světlé. V oblasti jednotek eV se projevuje dynamický mechanismus poskytující extrémně vysoký kontrast obrazců řiditelný dávkou elektronů.