Rozměrové kalibrační normály.

Terčík 1951 USAF.

Fotošablona a její nasazení pro dynamické měření gravitace v terénu s vyhodnocenou konturou motivu. Zdroj.

Požadovaný obrazec se zaznamená do tenké vrstvy elektronového rezistu (expozicí vznikne latentní obraz). Vyvoláním exponované vrstvy rezistu (v odpovídající vývojce) se vytvoří plannární rezistová maska, přes kterou je možné opracovat povrch podložky (substrátu) nebo tenkou funkční vrstvu (zpravidla kov nebo dielektrikum) předem na nosném substrátu nanesenou.

Vzorky připravené pomocí elektronové litografie a jejich aplikace:

• Struktury rozměrových normálů.
• Skleněné masky pro optickou a UV litografii.
• Struktury vytvořené přímou litografií.
• Matrice pro nano-imprint litografii (NIL).
• Charakterizace mikroreliéfu pomocí mikroskopu se skenovací sondou (SPM).

Vybrané výsledky výzkumu využité průmyslovými partnery:

• Podle požadavků zadavatelů bylo vyvinuto několik sad rozměrových normálů pro elektronovou mikroskopii. Přesnost normálů se expozicí kalibrovaného elektronového pole elektronového litografu odvozuje od laserových interferometrů. Rozměrový normál obsahuje několik struktur, mezi nimi zpravidla měřítko, odměřovací mřížky s různou roztečí a geometrické obrazce s popisem. Na vybrané sady normálů byl vystaven certifikát Českého metrologického institutu.
• Sada terčíků 1951 USAF pro testování rozlišovacích schopností využitých v oblasti optických zobrazovacích systémů, jako jsou například mikroskopy, fotoaparáty a skenery. Terčíky obsahují prvky ze skupin 0 až 11. Minimální šířka čáry (skupina 11, prvek 6) je 137 nm.
• Skleněná maska nahrazující mikrosíť v oblasti dynamického měření gravitace. Oproti původnímu řešení se vyznačuje vyšší přesností i odolností vůči povětrnostním vlivům.