Oblasti výzkumu
Elektronová litografie

Planární struktury vyvíjené s využitím zápisu na elektronovém litografu. Rozmanité aplikace zahrnují například fotošablony pro optickou nebo UV litografii, Fresnelovské struktury, vyhlazené mřížky, vortexové svazky, Braggovy mřížky, fotonické krystaly, MEMS (mikro elektro mechanické systémy), NIL (nano imprint litografie), CGH (počítačem generované hologramy), děliče a tvarovače svazku, difuzéry, antireflexní struktury a absorbéry, nano katody, nanostrukturované membrány, bimetalické struktury, strukturální barvy a plasmonické struktury, vzorky pro ověření rozlišení mikroskopu, biologií inspirované struktury a další.

 

Bragg
Fázová fotosablona pro UV expozici Braggovy mřížky do jádra optického vlákna.
Si3N4
Nano strukturovaná membrána Si3N4 na nosné křemíkové destičce pro experimenty s difrakcí elektronového svazku.
nano cathodes
Sendvičová nano-struktura lepaná technikou RIE (reaktivní iontové leptání) pro růst uhlíkových nano-katod.
Ag-Cr
Bimetalická planární struktura, kombinace chrom a stříbro na křemíkové podložce. Struktura slouží jako detektor pro pásmový filtr sekundárních elektronů v rastrovacím mikroskopu.
Cu-Al
Měděná podložka opatřená hliníkovou mikrostrukturou silnou několik mikronů. Struktura je připravená modifikovanou metodou lift-off.
etched Si
Struktura připravená anizotropním leptáním křemíku (kalibrační vzorek pro SEM, křížová mřížka s periodou 5 mikronů, 200 čar/mm). Expozice na litografu SB600 v módu ST (2011).
etched Si hiRes
Struktura připravená anizotropním leptáním křemíku (kalibrační vzorek s vysokým rozlišením pro SEM, rozteč mezi objekty 463 nm, 2160 čar/mm). Expozice na litografu SB600 v módu TZ-0 (2012).
vortex
Amplitudově fázová maska: šablona pro vortexový svazek. Mokré leptání chromu; planární reliéfní struktura v rezistu PMMA.
Struktury tvořené pilířky
antireflection
Antireflexní struktura.
pilire
Nano pilířky v rezistu PMMA tvořící křížovou mřížku ve spirálovém uspořádání. Expozice na litografu EBPG5000+ES (2016).
Víceúrovňové planární Fourierovské struktury
multilevel
Víceúrovňová planární nanostruktura; pixely velikosti 1 × 1 µm2, maximální hloubka 300 nm. Obrázek z mikroskopu se skenovací sondou (SPM resp. AFM). Expozice na litografu BS600 v módu ST (2012).
multilevel
Víceúrovňová planární nanostruktura; pixely velikosti 0.5 × 0.5 µm2, maximální hloubka 1000 nm. Obrázek z elektronového skenovacího mikroskopu (SEM). Expozice na litografu EBPG5000+ES (2014).
Miniatury
prakticka EBL
Monografie F. Matějky Praktická EBL byla provedena jako planární struktura. Původní velikost rozložené knihy je cca 1,7 × 2,7 m2. Provedení je v měřítku 1 : 1000, velikost miniatury je asi 1,7 × 2,7 mm2; velikost jedné stránky pak 0,17 × 0,27 mm2. Expozice na litografu BS600 v módu TZ–0 (2012).
poster EBL
Poster z konference Nanocon 2014; formát A0 (841 × 1189 mm2). Miniatura je ve formátu A28 (0,051 × 0,072 mm2). Expozice na litografu EBPG5000+ES (2014).

Výzkumná skupina: 
Elektronová litografie

Technologie přípravy struktur v tenkých vrstvách kovů a dielektrik na křemíkových nebo skleněných podložkách. Kombinovaná elektronová litografie.

Leptací techniky: mokré leptání, plasmatické leptání, reaktivní iontové leptání (RIE).

Rozptyl elektronů při interakci s pevnou fází v průběhu expozice elektronovým svazkem.

Zobrazovací techniky: optická mikroskopie, profilometrie, konfokální mikroskopie (CLSM), AFM, SEM.

mems

Technologický postup pro přípravu nanostrukturovaných membrán Si3N4 na nosné křemíkové podložce zahrnuje řadu litografických a leptacích operací.

lift off – tlusté kovové vrstvy

Upravený postup lift–off pro přípravu tlustých kovových mikrostruktur. a) ovrstvení a vysušení PMMA, b) ovrstvení a vysušení SU-8, c) expozice UV přes fotošablonu, d) vytvrzení rezistu po expozici, e) vyvolání rezistu, f) plazmatické dočištění, g) nanesení kovové vrstvy, h) odstranění rezistu, krok lift–off.

combined lithography

Postup pro kombinovanou expozici na dvou litografech s odlišným urychlovacím napětím.  Pro vyvolávání exponovaného rezistu je možné použít buďto metodu nezávislého vyvolávání  nebo metodu simultánního vyvolávávní rezistu.

lift-off jedna vrstva rezistu

Postup lift-off s jednou vrstvou rezistu: a) nanesení rezistu; b) expozice a vyvolání rezistu; c) naprášení kovové vrstvy; d) krok lift-off; e) mechanické čištění.

lift-off dvě vrstvy rezistu

Postup lift-off se dvěma vrstvami rezistu: a) nanesení jedné a druhé vrstvy rezistu; b) expozice rezistu; c) vyvolání rezistu; d) naprášení kovové vrstvy; e) krok lift-off.

Výzkumná skupina:

Elektronová litografie

  • velkoplošné mikrostruktury pro difrakční elementy formující laserový svazek;

  • submikronmetrové difrakční holografické struktury pro průmyslové aplikace;

  • difraktivní opticky variabilní obrazová zařízení (DOVIDs, Diffractive Optically Variable Image Devices).

Příkladem realizace DOVID jsou zařízení pro veřejnou prezentaci ÚPT respektive AV ČR.

 

isi9
DOVID "isi9". Expozice na litografu EBPG5000+ES. Realizováno u příležitosti 60. výročí založení ÚPT (2017).
cas1
DOVID "cas1". Expozice na litografu EBPG5000+ES. Realizováno pro Akademii věd ČR ke 125. výročí založení (2015).
isi1
DOVID "isi1". Expozice na litografu BS600 v módu TZ-0. Realizováno u příležitosti otevření laboratoří ALISI (2013)
Repliky
Difrakční šperk
"Difrakční šperk". Ukázka využití difrakčního obrazového motivu pro unikátní šperk. V motivu je kromě běžných difrakčních mřížek využito i zonálních prvků a absorbčních struktur. Expozice na litografu EBPG5000+ES. (2016).
Čokoládový hologram
"Čokoládový hologram". Otisk difrakčního obrazového motivu do čokoládové podložky. Expozice na litografu EBPG5000+ES. Připraveno pro akci Dny otevřených dveří ÚPT konané v rámci Týdne vědy AV ČR (2015).
Difrakční bižuterie
"Difrakční bižuterie". Ukázka šperku s využitím repliky difrakčního obrazového motivu. Expozice matrice na litografu EBPG5000+ES (2014).
Difrakční bižuterie
"Difrakční bižuterie". Ukázka šperku s využitím repliky difrakčního obrazového motivu. Expozice matrice na litografu BS600 v módu TZ-0 (2014).
Strukturální barvy
ISI_EBL_sc1
Strukturální barvy deterministicky aperiodických optických struktur (2016).
ISI_EBL_zo1
Nultý řád přímých difrakčních mřížek (2014).
ISI_EBL_pl1
Paleta struktur vykazujících plasmonickou rezonanci, pozorování odrazu světla (2014).
Projekce hologramů
ISI_EBL_cgh13
Prstencové uspořádání sady počítačem generovaných hologramů na odraz. Expozice na litografu BS600 v módu ST (2012).
projektor
Projektor krátké holografické animace, realizace Milan Matějka (2012).
projekce cgh
Projekce fázových reliéfních hologramů na průchod – tři struktury na různých vlnových délkách. Expozice na litografu BS600 v módu ST (2011); foto Jan Řeřucha (2012).
Zonální struktury
segmentová zonální
Segmentová zonální struktura v rozlišení 50 nm, průměr 16 mm.
Expozice na litografu BS600 v módu TZ–0 (2012).
kruhová zonální
Kruhová zonální struktura v rozlišení 200 nm, průměr 16 mm.
Expozice na litografu BS600 v módu TZ–0 (2012).
Difrakční mřížky
holografická mřížka
Holografická mřížka s kvazi sinusovým reliéfem. Expozice na litografu EBPG5000+ES (2015)
paleta tz-0
Palety difrakčních mřížek s proměnnou periodou a parametrem orientace linií. Expozice na litografu BS600 v módu TZ–0 (2013); foto Jan Řeřucha.

Výzkumná skupina: 
Elektronová litografie

  • elektronový litograf Tesla BS600 vyvinutý na ÚPT v letech 1977–1984;
  • průběžně modernizovaný až do současnosti;
  • postupy pro seřizování litografu;
  • technologické, litografické a testovací značky;
  • clony pro tvarování odebíraného svazku;
  • rozložení proudové hustoty ve svazku;
  • emitery elektronů.
Elektronový litograf Tesla BS600, konfigurace 2012

Elektronový litograf Tesla BS600

  • Elektronový litograf s tvarovaným svazkem a urychlovacím napětím 15 kV.
  • Rozlišení zápisu (pološířka svazku) 50 nm.
  • Velikost svazku 50–6300 nm (standardní mód); 17–2100 nm (TZ mód).
  • Expoziční pole 3 × 3 mm² (max).
  • Korekce rozptylových jevů při expozici.
Mereni

Srovnávací studie: čtyři metody měření proudové hustoty ve svazku elektronů.

Emitery elektronů
KatodaObrazec Model hrotu

Hrot emiteru elektronů (vlevo), emisní obrazec (uprostřed) a krystalografický model hrotu (vpravo).

Výzkumná skupina:

Elektronová litografie

Ústav přístrojové techniky Akademie věd České republiky, v. v. i.
Královopolská 147
612 00 Brno
Česká republika
IČ: 68081731
Tel.: +420 541 514 111
Email: institute@isibrno.cz
mapa
Přihlášení k newsletteru
© Ústav přístrojové techniky Akademie věd České republiky, v. v. i.