Planární struktury vyvíjené s využitím zápisu na elektronovém litografu. Rozmanité aplikace zahrnují například fotošablony pro optickou nebo UV litografii, Fresnelovské struktury, vyhlazené mřížky, vortexové svazky, Braggovy mřížky, fotonické krystaly, MEMS (mikro elektro mechanické systémy), NIL (nano imprint litografie), CGH (počítačem generované hologramy), děliče a tvarovače svazku, difuzéry, antireflexní struktury a absorbéry, nano katody, nanostrukturované membrány, bimetalické struktury, strukturální barvy a plasmonické struktury, vzorky pro ověření rozlišení mikroskopu, biologií inspirované struktury a další.














Výzkumná skupina:
Elektronová litografie
Technologie přípravy struktur v tenkých vrstvách kovů a dielektrik na křemíkových nebo skleněných podložkách. Kombinovaná elektronová litografie.
Leptací techniky: mokré leptání, plasmatické leptání, reaktivní iontové leptání (RIE).
Rozptyl elektronů při interakci s pevnou fází v průběhu expozice elektronovým svazkem.
Zobrazovací techniky: optická mikroskopie, profilometrie, konfokální mikroskopie (CLSM), AFM, SEM.
Technologický postup pro přípravu nanostrukturovaných membrán Si3N4 na nosné křemíkové podložce zahrnuje řadu litografických a leptacích operací.
Upravený postup lift–off pro přípravu tlustých kovových mikrostruktur. a) ovrstvení a vysušení PMMA, b) ovrstvení a vysušení SU-8, c) expozice UV přes fotošablonu, d) vytvrzení rezistu po expozici, e) vyvolání rezistu, f) plazmatické dočištění, g) nanesení kovové vrstvy, h) odstranění rezistu, krok lift–off.
Postup pro kombinovanou expozici na dvou litografech s odlišným urychlovacím napětím. Pro vyvolávání exponovaného rezistu je možné použít buďto metodu nezávislého vyvolávání nebo metodu simultánního vyvolávávní rezistu.
Postup lift-off s jednou vrstvou rezistu: a) nanesení rezistu; b) expozice a vyvolání rezistu; c) naprášení kovové vrstvy; d) krok lift-off; e) mechanické čištění.
Postup lift-off se dvěma vrstvami rezistu: a) nanesení jedné a druhé vrstvy rezistu; b) expozice rezistu; c) vyvolání rezistu; d) naprášení kovové vrstvy; e) krok lift-off.
Výzkumná skupina:
Elektronová litografie
-
velkoplošné mikrostruktury pro difrakční elementy formující laserový svazek;
-
submikronmetrové difrakční holografické struktury pro průmyslové aplikace;
-
difraktivní opticky variabilní obrazová zařízení (DOVIDs, Diffractive Optically Variable Image Devices).
Příkladem realizace DOVID jsou zařízení pro veřejnou prezentaci ÚPT respektive AV ČR.














Expozice na litografu BS600 v módu TZ–0 (2012).

Expozice na litografu BS600 v módu TZ–0 (2012).


Výzkumná skupina:
Elektronová litografie
- elektronový litograf Tesla BS600 vyvinutý na ÚPT v letech 1977–1984;
- průběžně modernizovaný až do současnosti;
- postupy pro seřizování litografu;
- technologické, litografické a testovací značky;
- clony pro tvarování odebíraného svazku;
- rozložení proudové hustoty ve svazku;
- emitery elektronů.
Elektronový litograf Tesla BS600
- Elektronový litograf s tvarovaným svazkem a urychlovacím napětím 15 kV.
- Rozlišení zápisu (pološířka svazku) 50 nm.
- Velikost svazku 50–6300 nm (standardní mód); 17–2100 nm (TZ mód).
- Expoziční pole 3 × 3 mm² (max).
- Korekce rozptylových jevů při expozici.
Srovnávací studie: čtyři metody měření proudové hustoty ve svazku elektronů.


Hrot emiteru elektronů (vlevo), emisní obrazec (uprostřed) a krystalografický model hrotu (vpravo).
Výzkumná skupina:
Elektronová litografie